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微电子学论文大纲 微电子学论文框架怎么写有关写作资料

主题:微电子学 下载地址:论文doc下载 原创作者:原创作者未知 评分:9.0分 更新时间: 2024-01-07

微电子学论文范文

论文

目录

  1. 五、等离子体在QCM传感器制备中的应用研究论文提纲
  2. 四、MgB_2超导薄膜的制备及其性质研究论文提纲范文
  3. 三、新结构低功耗IGBT研究论文提纲格式范文模板
  4. 二、高压功率器件结终端的设计研究论文提纲范文
  5. 一、“La_(0-67)Ca_(0-33)MnO_3/Alq_3/Co”三明治结构有机自旋阀器件论文提纲范文

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五、等离子体在QCM传感器制备中的应用研究论文提纲

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目 录

第一章、 绪 论

1.1 研究的背景和意义:

1.2 QCM传感器的制备技术

1.3 低温等离子体用于制备特性传感膜

1.4 本文所做主要工作简介

1.4.1. 等离子体基本理论介绍

1.4.2 液相中甲酸传感器的制备与测试

1.4.3. 生物传感器的制备与测试

1.4.4. 等离子体处理三乙醇胺涂膜传感器的制备与测试

第二章 等离子体基本理论

第一节 等离子体的基本性质

2.1.1 等离子体的概念

2.1.2 等离子体的主要特征量及基本性质

2.1.3 等离子体的状态

第二节 低温等离子体的发生与反应

2.2.1. 放电的击穿和起始电压:

2.2.2. 辉光放电

2.2.3. 高频放电

第三节 低温等离子体与成膜

2.3.1. 低温等离子体成膜的基本理论与应用概述:

2.3.2. 等离子体CVD和等离子体聚合

2.3.3. 用低温等高子体进行表面改质

第三章 实验与分析

第一节、 低温等离子体工艺方法

3.1.1 等离子体工艺的设备与仪器

3.1.2 含胺氢化碳膜的PECVD淀积工艺

3.1.3 等离子体工艺对淀积膜质量的影响

3.1.4 三乙醇胺涂膜的等离子体表面处理

第三节 QCM传感器

3.3.1 石英晶体的压电效应

3.3.2 QCM传感器的工作原理

第四节 等离子体制备的QCM传感器的性能检测

3.4.1 性能检测用仪器与设备:

3.4.2 实验测试装置:

3.4.3 QCM化学传感器的实验方法和检测程序:

3.4.4 QCM生物传感器的制备与性能测试

第四章、 低温等离子体QCM化学传感器

第一节 等离子体工艺制备的薄膜分析

4.1.1 含胺氢化碳膜的红外光谱分析

4.1.2 三乙醇胺涂膜等离子体处理后的红外光谱分析

第二节、 含胺氢化碳膜修饰的QCM传感器对液相有机物质的响应

第三节 含胺氢化碳膜修饰的QCM化学传感器的器件性能

4.3.1 QCM化学传感器的重现性和稳定性

4.3.2 QCM化学传感器的温漂

4.3.3 QCM化学传感器的时间特性:

第三节 三乙醇胺涂膜QCM传感器

4.3.1 等离子体处理前三乙醇胺涂膜QCM传感器的响应性能

4.3.2 等离子体处理后三乙醇胺涂膜QCM传感器的响应性能

4.3.3 处理后三乙醇胺涂膜QCM传感器的器件性能

第五章、 QCM生物传感器

第一节 生物传感器的基本结构与工作原理

5.1.1. 生物传感器的定义

5.1.2 生物传感器基本结构

5.1.3 生物传感器的工作原理及类型

第二节、 日本血吸虫病QCM免疫传感器

5.2.1、 生物免疫传感器简介

5.2.2、 日本血吸虫病QCM免疫传感器

第六章、 结 论

致 谢

四、MgB_2超导薄膜的制备及其性质研究论文提纲范文

前言

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第一章 超导现象的发现和超导材料的应用

1-1 "零电阻"效应的发现

1-2 迈斯纳效应

1-3 超导电性

1-3-1 临界温度T_c

1-3-2 临界磁场H_c(T)

1-3-3 临界电流密度j_c

1-4 超导理论的建立

1-5 约瑟夫森效应

1-6 磁通量子化效应

1-7 超导材料研究的进展

1-8 超导材料的应用

1-8-1 超导材料的强电和强磁场方面应用

1-8-2 超导材料的弱电方面应用

1-9 超导研究的主要实验手段

1-9-1 超导的电阻—温度关系测量

1-9-2 超导的磁测量

1-9-3 X-ray衍射(XRD)物相分析

1-9-4 扫描电子显微镜(GEM)表面形貌观察

1-10 本章小结

1-11 附录图表

第二章 MgB_2超导电性的发现及其特性

2-1 引言

2-2 MgB_2的超导电性

2-2-1 MgB_2属的晶体结构和理论计算

2-2-2 MgB_2的同位素效应

2-2-3 MgB_2的霍尔效应

2-2-4 MgB_2的比热测定

2-2-5 MgB_2的约瑟夫森效应

2-2-6 MgB_2的相稳定性

2-3 MgB_2超导薄膜的制备技术

2-4 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)

2-4-1 化学反应的类型有以下几种

2-4-2 化学气相沉积过程中主要的影响因素

2-4-3 化学气相沉积的种类

2-5 本章小结

第三章 异位退火制备MgB_2超导薄膜

3-1 引言

3-2 基片选择与实验准备

3-2-1 基片的选择

3-2-2 基片的清洗

3-2-3 先驱膜沉积装置

3-3 先驱B膜沉积

3-4 Mg蒸气中后续退火

3-4-1 坩锅装片

3-4-2 后续退火

3-5 实验结果分析

3-6 本章小结

第四章 原位HPCVD双温区制备MgB_2超导薄膜

4-1 引言

4-2 双温区HPCVD制备超导薄膜

4-3 实验过程

4-3-1 基片的处理

4-3-2 薄膜的沉积

4-4 实验结果及分析

4-5 本章小结

第五章 MgB_2超导薄膜应用展望

第六章 论文总结

参考文霞

图表索引

研究生学习阶段参加的课题和取得的成果

致谢

三、新结构低功耗IGBT研究论文提纲格式范文模板

中文摘要

引言

第一章 IGBT及现有的耐压层结构

1.1 传统电力电子器件的不足

1.2 IGBT概念的提出

1.3 IGBT结构与性能简介

1.4 目前广泛应用的PT-IGBT和NPT-IGBT

1.4.1 PT-IGBT

1.4.2 NPT-IGBT

1.5 小结

第二章 一种具有新型耐压层结构的IGBT—LPL-IGBT

2.1 NPT-IGBT和PT-IGBT功耗性能比较

2.1.1 两者功耗性能上的差异

2.1.2 NPT-IGBT优越性能的物理解释

2.1.3 NPT-IGBT的致命缺陷—过厚的耐压层

2.1.4 对新一代IGBT的性能要求

2.2 综合NPT-IGBT和PT-IGBT优点的尝试—FSIGBT

2.3 一种具有新型的耐压层结构的IGBT—LPL-IGBT

2.4 在LPL-IGBT研究中拟解决的关键问题

第三章 LPL-IGBT的仿真及结果分析

3.1 仿真中模型、参数的设置

3.2 对仿真选取的模型、参数的验证

3.3 耐压2000V各类IGBT的仿真结果及分析

3.3.1 仿真中器件结构参数的选取

3.3.2 耐压2000V的各类IGBT仿真结果及分析

3.4 耐压1200V各类IGBT的仿真结果及分析

3.5 对LPL-IGBT仿真所得出的结论

3.6 对背扩散残留层的仿真优化

第四章 LPL-IGBT的制作及测试结果

4.1 第一轮实验情况简介

4.2 第一轮实验的测试结果

4.3 第二轮实验情况简介

第五章 结论

参考文献

致谢

微电子学论文提纲相关参考属性
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二、高压功率器件结终端的设计研究论文提纲范文

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第一章 引言

1.1 电力电子器件的发展及电力电子技术对器件的要求

1.1.1 电力电子器件的发展

1.1.2 电力电子技术发展对器件的要求

1.2 影响击穿电压的几个因素

1.2.1 平面工艺pn结扩散终端对击穿电压的影响

1.2.2 界面电荷存在对击穿电压的影响

1.2.3 杂质在Si、SiO_2中具有不同的分凝系数对击穿电压的影响

1.3 各种结终端技术简介

1.3.1 场板技术

1.3.2 场限环技术

1.3.3 结终端扩展技术

1.4 本文工作简介

参考文献

第二章 MEDICI仿真程序

2.1 基本方程描述

2.2 模型的选取

2.2.1 复合模型的选取

2.2.2 载流子浓度分布的确定

2.2.3 迁移率模型的选取

2.2.4 雪崩碰撞电离模型

2.3 边界条件

2.4 数值求解方法

2.4.1 离散化

2.4.2 求解方法

参考文献

第三章 800V和700V器件终端的设计

3.1 原有终端结构分析

3.2 仿真改进800V器件的终端设计

3.2.1 改进之一:调整p型环扩散窗口大小

3.2.2 改进之二:去掉p型环,调整间距,加场板

3.2.3 改进之三:增加第二个环上场板长度

3.3 800V器件结终端结构的优化分析

3.3.1 界面电荷密度的影响

3.3.2 场限环表面浓度的影响

3.3.3 氧化层厚度的影响

3.3.4 场板长度变化的影响

3.3.5 场限环宽度(扩散窗口宽度)的影响

3.4 700V器件的终端设计

3.5 700V器件试验结果及与仿真的对比

第四章 高压IGBT终端设计

4.1 基本结构参数选取及终端结构确定

4.1.1 基本结构参数的选取

4.1.2 终端结构的选取

4.2 仿真设计

4.2.1 采用五个环时的结果

4.2.2 采用六个环时的结果

4.2.3 采用七个环时的结果

4.3 对比分析

4.3.1 界面电荷密度变化的影响

4.3.2 氧化层厚度变化的影响

4.3.3 环宽度(扩散窗口宽度)变化的影响

4.3.4 结深变化的影响

4.4 实际IGBT结构的击穿电压

参考文献

第五章 结论与建议

5.1 结论

5.2 工作建议

致 谢

一、“La_(0-67)Ca_(0-33)MnO_3/Alq_3/Co”三明治结构有机自旋阀器件论文提纲范文

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ABSTRACT

符号说明

第一章 绪论

1-1 概述

1-2 自旋极化电子的输运

1-3 磁电阻效应

1-4 自旋注入无机半导体

1-5 有机半导体与自旋注入有机半导体

1-6 本论文主要研究目的和内容

参考文献

第二章 样品的制备与测量

2-1 实验材料的准备

2-2 样品的制备

2-3 样品的测试

参考文献

第三章 LCMO/ALq3/Co三明治结构有机自旋阀器件

3-1 器件中的反常巨磁电阻效应

3-2 磁电阻与温度的关系

3-3 较高自旋注入效率的原因分析

3-4 高场磁电阻效应

3-5 Co电极的矫顽场

3-6 有机层中失效层的厚度

参考文献

第四章 结论与展望

致谢

攻读硕士学位期间发表的学术论文目录

学位论文评阅及答辩情况表

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微电子学引用文献:

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[3] 关于微电子学与固体电子学的论文参考文献 微电子学与固体电子学外文文献怎么找
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