led技术论文范文参考 led技术毕业论文范文[精选]有关写作资料

目录

1. 第一篇led技术论文范文参考：发光二极管照明国家发展预测模型研究
2. 第二篇led技术论文样文：基于专利分散理论的我国半导体照明专利研究
3. 第三篇led技术论文范文模板：企业技术创新网络形成机理研究
4. 第四篇led技术论文范例：基于LED光源的DLP投影系统的研究
5. 第五篇led技术论文范文格式：硅基LED量子阱相关特性及芯片p面技术研究

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第一篇led技术论文范文参考：发光二极管照明国家发展预测模型研究

以半导体发光二极管(LED)为主要代表的新一代光源技术,被公认为是当今最具发展潜力的节能环保技术.我国是世界上重要的照明电器生产大国和消费大国.研究这一技术对我国照明领域所产生的影响,对制定我国的产业发展政策和节能技术政策,巩固我国照明产业的国际地位,保障能源供应安全均具有十分重要的现实意义和战略意义.

本文通过广泛的调查研究,运用数理统计学方法,随机分析理论,技术创新理论,不确定性分析理论,建立了模拟LED在我国照明市场发展的定量模型,并进行了照明需求和照明用电的预测研究,主要创新工作如下:

1.首次较大规模地组织了全国性的照明市场抽样调查研究,并运用统计学理论,全面分析了我国照明用电和照明市场的主要特征.分析结果数据置信度可达95%,解决了我国以往照明数据不全和不确定等问题.

2.突破传统的直接用照明产品需求增长来预测照明需求趋势的方法,采用“光量需求”和“光质量分布”指标,依据建筑物的发展来预测我国的照明需求和质量构成,在我国照明预测方法学上迈出了新的一步.得出未来一段时期我国普通照明需求量将以年均4.3%的速度增长.

3.运用技术创新理论,对LED照明技术在我国普通照明领域的市场化过程进行了理论分析,导出了几种可能的LED技术成长曲线.

4.利用市场消费行为和全寿命成本最小比较方法,分析了照明市场产品替代和产品结构发展趋势,自主开发了模拟我国照明市场发展的定量模型.研究发现,如果LED照明能实现技术上和价格上的双突破,预计2013年前后会在我国普通照明市场具备一定的竞争力,到2020年可望占到照明市场需求65%以上的份额,相对没有LED照明的节电潜力约1000亿度.

5.采用蒙特卡罗随机抽样的统计试验方法,根据部分模型参数取值的分布特征,对预测结果进行了不确定性和敏感性分析.得出2020年我国普通照明需求量为19915万亿流明小时、照明用电总量为2138亿度的可能性较大.如果LED照明在我国得到健康发展,到2020年照明需求翻一番,照明用电基本维持2002年用电水平的目标是可以实现的.

第二篇led技术论文样文：基于专利分散理论的我国半导体照明专利研究

半导体照明是现在最先进的照明技术,半导体照明产业的国际竞争非常激烈,随着我国半导体照明产业的不断发展,近几年来,相关专利量和权利人数量不断增加,国外企业为了争夺我国半导体照明市场不断的申请专利,这些专利所涉及的技术领域范围不断扩大,这样一来出现了许多问题,例如某些创新型产品：半导体,计算机软件,电子技术等,这些产业的专利分别由不同的专利权人所拥有,导致了专利权的“分散”.为了实现某一项产品的生产,需要通过多个权利人的许可,就像通过森林一样要披荆斩棘,才能走出森林.为此企业要付出高额的许可费用,从而阻碍了技术创新.我国半导体照明产业会不会出现专利分散问题

本文通过分形理论等方法验证我国半导体照明产业是否存在专利分散现象,实证研究了影响专利分散的因素和专利分散造成的影响,结合国内外应对专利分散的策略,构建了博弈模型比较分析了三种专利战略的市场绩效.本文的创新点主要有以下几点：

首先,对专利分散做出界定,综合国内外的参考文献,比较了国外学者对专利分散的不同看法,从中归纳总结出了对于专利分散的界定,在提出专利分散假设的基础上通过构造博弈模型发现在企业从对新技术的研发到申请专利整个过程中,采取缩短研发周期,存在阻碍性专利这些因素都会促进企业专利的分散；企业为了生产出产品必须获得权利人的专利许可,如果许可人越多,企业的经济利润越低消费者剩余越低,对于整个社会福利越不利,

其次,本文分析总结了国内外有关测量专利分散方法,提出了利用分形理论等方法测量专利分散程度,并且以我国半导体照明产业为例来验证专利分散现象以及实证研究了影响我国半导体照明产业专利分散的因素和专利分散产生的影响,发现技术标准,专利权人数,合作专利数量等因素会影响专利分散,专利分散会造成专利权过度扩散侵犯到公共领域等不利结果,

最后,本文总结分析了国外应对专利分散的措施,比较分析了专利许可,专利池,专利集中战略三种不同的专利战略的优劣势,提出了适合我国半导体照明产业发展的解决专利分散问题的应对建议.

第三篇led技术论文范文模板：企业技术创新网络形成机理研究

本研究的目的是探索企业技术创新网络在不同国家环境下的形成机理,以期通过比较不同的国家环境对企业技术创新网络的影响和作用,归纳出企业技术创新网络在环境条件作用下的形成原因和形成规律.

本研究采用结合定量测量技术的嵌入性跨案例比较研究方法,运用基于国家创新系统理论、社会网络分析理论和交易成本理论的理论基础与分析工具,分别在瑞士苏黎世和中国四川地区运用逐项复制和差别复制法则,筛选了共6家技术创新绩效优良的中高技术制造业龙头企业,在深入这些企业及其所在地进行深度访谈、直接观察、问卷调查和档案分析的基础上,对这些企业技术创新网络在国家环境作用下的形成机理进行了跨案例比较研究.

通过对中国案例组三家企业和瑞士案例组三家企业的单案例研究以及跨案例比较研究,本文得到以下实证发现：

中国案例组企业技术创新网络呈现出封闭形态和开放形态并存的局面,这是我国转型经济中国家创新系统尚未形成,国家整体大环境尚未完善,但部分小环境开始局部性改善的反映.瑞士案例组企业技术创新网络呈现出相似的开放式形态,则是瑞士国家创新系统发育较为完善、国家环境有利于企业技术创新网络形成开放格局的反映.中国案例组企业技术创新网络中政府的角色主要是为优质企业提供优惠性、扶持性政策和特殊的行政服务,以创造良好的小气候,帮助优质企业形成技术创新网络、提高企业技术创新绩效.瑞士案例组中政府的角色是在网络中为各方沟通信息,为所有企业提供通用性政策,以形成良好的有利于创新的国家大环境.

鉴于以上实证发现,本文得出以下结论：

企业技术创新网络的微观演化过程受国家环境中宏观因素动态发展的影响,换言之,受国家创新系统发展特征的影响.在国家教育系统发达、科技劳动力市场供给充足、知识产权制度完善的条件下,外部合作交易成本相对较低,企业选择建立较多的外部联系,企业技术创新网络呈开放式形态.在国家教育系统不发达、科技劳动力市场供给不充足、知识产权制度不完善的条件下,外部合作的交易成本相对较高,企业难以建立较多的外部联系,因此企业技术创新网络呈封闭形态,但当上述环境条件得到局部改善时,外部合作的交易成本有所下降,企业开始选择建立更多的外部联系,使其技术创新网络向开放式方向发展.由此可见,宏观层面上的国家创新系统特征影响了微观层面上的企业技术创新网络的结构特征,企业技术创新网络的演化受国家创新系统发展的影响.

本研究在跨国案例比较中得到的实证数据丰富了关于经济转型阶段和学习过程中国家创新系统发展的经济学理论,本研究将企业技术创新网络的实证研究和理论研究结合起来,通过比较发达国家和发展中国家不同企业的创新活动,有效地理解了国家层面宏观因素的动态变化对企业微观行为演化过程的影响,在实证上证实了国家创新系统理论关于创新过程是一个宏观因素与微观因素之间错综复杂的相互作用过程的论点,并为国家创新政策的制定提供了有益的启示.

第四篇led技术论文范例：基于LED光源的DLP投影系统的研究

DLP数字光处理技术是显示技术领域的一朵奇葩,相对LCD,LCOS,PDP等其它显示技术,它具有高亮度、高对比度、高清晰度、高可靠性、精确的灰度和彩色再现能力等优点,已成为国际上主流的微显示投影技术；固态光源LED具有寿命长、色域广、成本低、开关速度快、无有害光线及绿色环保的优点,随着单管功率和输出光效率的不断提高,LED光源必将替代高压汞灯和色轮的组合,成为极具发展前景的微显示投影系统新光源.然而DLP的核心技术和专利几乎由美国TI公司独家拥有,因此,着力研究具有自主知识产权的DLP信号处理系统,设计基于LED光源的DLP投影系统,对于我国微显示技术的发展和推广具有极其重要的意义和价值.

论文主要涉及基于LED光源的DLP投影系统光电一体化的研究、建模、设计.论文的主要研究内容及创新点如下：

1,系统透析了DMD的机电控制系统模型,解析了DLP技术的二进制PWM显示法.设计了基于现场可编程逻辑器件(FPGA)技术的自主知识产权的DLP视频处理控制IP核.

分析了DMD的发展过程、基本结构和工作原理,详细阐述了DMD数字微镜装置的寻址和复位过程以及控制驱动方法和原理,透析了DMD的机电控制系统模型；深入研究了DLP数字光处理技术的工作原理,引入子场概念对二进制PWM显示法加以诠释,并对DLP的显示格式转换过程进行数学分析与建模,从而为电路设计提供了理论依据.设计了基于FPGA的DLP视频处理控制IP核以及DMD驱动电路,包括PWM子场信号格式转换,中间级信号存储与处理,DMD寻址电路,DMD扫描控制电路的设计；利用Verilog HDL语言对IP核进行了RTL级描述和设计,并在FPGA器件上实现了IP核的功能验证,完成了有较强可移植性和可复用性的DLP视频处理控制IP核,为实现具有自主知识产权的DLP投影系统打下了坚定的基础.

2,基于DVI接口的动态无损高清信号转换机理,设计了微显示系统的实时图像数据接口电路.

深入解析了DVI高速数字信号接口技术和TMDS传输协议,并对数字显示器的EDID协议做了相应的研究.剖析了信号转换电路的频率特性、阻抗特性和设计难点,并且实现了基于SiI1169的HDTV动态无损信号转换的设计,为微显示系统提供了显示所需的实时图像数据,使显示画面得到优化.

3,率先将超大功率LED作为光源应用于DLP背投电视光学引擎中,开发了基于FPGA的LED光源控制系统.

充分论证了LED光源与DLP技术结合的优势,分析了微显示投影系统光源的设计要求,阐述了光子晶体超大功率LED技术的特点和优势.比较了两种PWM控制技术的基本结构、工作原理及其特点,应用了平均电流控制模式开关电源的原理,完成了电路结构的设计及相关参数的分析、计算,设计了基于MAX16818的大电流PWM型LED驱动控制电路.采用了多种传感器技术,成功开发了基于FPGA的大功率LED光源管理系统,解决了超大功率LED光源的电流、电压、温度控制等主要问题.

4,提出了LED动态色域校准方法,解决了时序工作方式的广色域LED显示系统的动态色域校准问题.

对大功率LED的光电性能进行了大量实验测量,获得了有价值的数据.在此基础上,详细讨论了广色域LED显示系统的色域校准算法,针对时序显示方式工作的LED广色域显示器,创新性地提出利用一组色度传感器实时反馈色坐标,在一个基色工作时,同时加入一定比例的其他基色辅助光进行动态校准色域的方法,设计并实现了基于FPGA的动态色域校准方案,避免了环境温度差异对显示系统色坐标的影响.

5,设计了一组针对LED光源的蝇眼透镜照明系统结构,通过蝇眼透镜将光束加以细分,提高光场均匀度,有利光能量的高效会聚,实现了关键元件的国产化.

6,提出一套完整的基于大功率LED光源的DLP投影系统模型.应用了光学扩展量(é,tendue)理论对系统进行分析,从而确立合适的系统参数条件,最终实现了基于LED光源DLP投影系统的计算机设计、建模、仿真,研制了国内首台具有自主知识产权、低成本、基于LED光源的DLP光学引擎样机,大大降低了背投电视的光源使用成本,同时提高了其色度、稳定性等主要性能.

7,对CIE光源测试标准进行了修正,提出了采用标准光源A的LED器件光通量测试方法,为所参与制定的“LED器件光学性能测试方法”行业标准提供了依据.

本文是在福建省科技计划项目《以LED为照明光源的DLP背投电视光学引擎》的工作基础上的深入研究,正在申报的国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域重点项目《激光显示光学引擎关键技术及视频图像处理技术研究》已通过第二次专家评审.

第五篇led技术论文范文格式：硅基LED量子阱相关特性及芯片p面技术研究

硅衬底GaN基LED的研制成功,改写了以蓝宝石、碳化硅为衬底的GaN基LED的历史,是一条更具发展潜力的LED产业化技术路线,吸引了全球数十家研究单位和公司投入相关研究.在硅衬底上生长GaN材料与在蓝宝石、碳化硅衬底上生长相比,应力状态迥然不同,应力影响材料的极化,特别影响了作为有源层量子阱的生长特性和极化特性,进而影响LED的发光效率.同时,LED发展至今,在发光本质方面仍有不少重要的物理问题未搞清楚.另外,衬底不同决定了芯片端制造方面的差异化,硅材料与蓝宝石、碳化硅相比,物理、化学及加工特性方面有很大差别,通常用在蓝宝石基LED的芯片加工技术大部分不再适用于硅基LED,因此,发展一条先进的可产业化的硅基LED芯片制造技术同等重要.

本文从量子阱相关特性及芯片技术两个方面着入研究,一方面改变量子阱的生长工艺、结构设计,通过光致发光(PL)、电致发光(EL)、荧光(FL)等手段分析量子阱的发光特性.另一方面改进芯片p面接触,优化p面钝化,探索出一条电镀金属基板的硅基TF芯片技术.基于以上两个方面,本文取得了以下重要的研究结果：

1.通过研究具有单色单量子阱及单色多量子阱的硅基绿光LED的变温EL特性,发现与单色多量子阱相比,单色单量子阱LED具有更低的工作电压,小电流密度段(1～10A/cm2)具有更大的发光效率,在小电流应用方面具有更大的优势.

2.通过研究具有单色及多色量子阱的硅基绿光LED在低温下的光谱行为,发现在低温小电流密度(～10-1A/cm2)时,多量子阱LED的发光主要来自靠近n-GaN的量子阱,在低温中电流密度时(1～10A/cm2),靠近p-GaN的量子阱的发光占主要地位,在大电流密度段(～102A/cm2)时,最后一个阱的发光趋于饱和,中间量子阱的发光开始逐渐占有明显的地位.

3.建立了一个变温EL-IQE曲线与量子阱能带倾斜之间的定性关系,通过应力调制的量子阱能带倾斜模型,较好地解释了单色单量子阱和多量子阱LED在变温变电流时的众多EL特性.

4.通过研究IQE和FWHM随电流密度的变化特性,发现低温下载流子可能优先在量子阱局域态中发生复合,并在低温100K下观察到了与此相关的发光情况.

5.报道了硅基绿光LED的最高EL-IQE:工作状态下(52A/cm2),SQW-LED(@522nm)室温下的IQE为26.3%,同波长的MQW-LED为40.7%.

6.研究了量子阱个数对硅基绿光LED光学特性的影响.结果表明,4J样品的发光效率最高,2J样品的发光效率最低.荧光显微图片并非越均匀对应的发光效率越高,2J样品具有最均匀分布的荧光显微镜图片,却具有最低的发光效率.

7.采用垒掺杂的手段实现不同位置的阱发光,不同位置的垒掺硅对EL波长的影响较大.工作状态下,具有两个发光阱样品的发光效率最低,四个发光阱样品的发光效率最高.另外,垒掺杂能够使FL的均匀性明显变好,掺硅垒的位置离注入层越近,反压越低,ESD性能也越差.对比了注入层掺硅与注入层不掺硅的样品,实验现象一致反映,阱前掺硅量增加引起量子阱受到的压应力增加.

8.通过在硅衬底LED薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2：O2等于4：1的气氛中、450℃-750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明：退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势；经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×,10-5Ω·,cm2.

9.利用硫酸双氧水选择性腐蚀经牺牲Ni退火后的LED薄膜表面.结果表明,经牺牲Ni550℃退火后,薄膜表面开始受到破坏,且随退火温度的升高,受破坏的程度增加.退火后的LED薄膜经沸腾硫酸双氧水腐蚀后,表面出现明显的腐蚀坑,我们认为这种腐蚀坑可能与材料内位错在表面的露头及由于重掺杂、量子阱内V型坑引起的p型材料的极性反转有关,且牺牲Ni退火促进了这种腐蚀坑的形成和长大.

10.讨论了金属或者绝缘材料作为p面钝化材料的可行性.通常用作n型接触的Cr,在银合金条件下完全可以达到p面钝化效果.最后讨论了是否能够选择不导电的绝缘物作为p面钝化材料,结合硅基TF芯片工艺对其进行了可行性论证：若LED芯片工艺过程不存在大应力作用,采用氮化硅、氧化硅或PI等作为p面钝化材料是可行的.

11.通过电镀的方法分别将Si衬底GaN LED薄膜转移至铜铬、铜镍基板上,并制备成不同电镀基板的LED芯片,芯片加工过程中,LED薄膜由张应力变为压应力,随后压应力不断得到释放,通过对比不同电镀金属基板LED芯片在力学、热学、光电等方面的性能可知,电镀铜镍基板LED芯片的散热性能更好、波长漂移特性更佳、力学特性以及伏安特性更加可靠.Si衬底GaN电镀金属基板LED芯片的研制成功,进一步降低了LED的制备成本.

以上研究结果已在本单位863计划相关课题研究和相关产业化过程中得到应用,取得了较好的效果.

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